1N5407GH A0G
Номер детали производителя | 1N5407GH A0G |
---|---|
производитель | Taiwan Semiconductor Corporation |
Подробное описание | DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD |
Упаковка | DO-201AD |
В наличии | 5721 pcs |
Техническая спецификация |
Справочная цена (В долларах США)
Срок поставки
Components-House.com является надежным дистрибьютором электронных деталей.Мы специализируемся на всех электронных компонентах серии Taiwan Semiconductor Corporation.У нас есть кусочки 5721 Taiwan Semiconductor Corporation 1N5407GH A0G в запасе.Запросите цитату от дистрибьютора компонентов электроники в Components-House.com, наша команда продаж свяжется с вами в течение 24 часов.
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
РФК Электронная почта: info@Components-House.net
Спецификация
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1 V @ 3 A |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 800 V |
Технологии | Standard |
Поставщик Упаковка устройства | DO-201AD |
скорость | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Серии | Automotive, AEC-Q101 |
Упаковка / | DO-201AD, Axial |
Свойства продукта | Значение атрибута |
---|---|
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 150°C |
Тип установки | Through Hole |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 5 µA @ 800 V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 3A |
Емкостной @ В.Р., F | 25pF @ 4V, 1MHz |
Рекомендуемые продукты
-
1N5407GHR0G
DIODE GEN PURP 800V 3A DO201ADTSC (Taiwan Semiconductor) -
1N5407G B0G
DIODE GEN PURP 800V 3A DO201ADTaiwan Semiconductor Corporation -
1N5407BULK
DIODE GEN PURP 800V 3A DO201ADEIC SEMICONDUCTOR INC. -
1N5407-T
DIODE GEN PURP 800V 3A DO201ADDiodes Incorporated -
1N5407GP-E3/73
DIODE GEN PURP 800V 3A DO201ADVishay General Semiconductor - Diodes Division -
1N5407RL
DIODE GEN PURP 800V 3A AXIALonsemi -
1N5407G
DIODE GEN PURP 800V 3A AXIALonsemi -
1N5407GH
DIODE GEN PURP 800V 3A DO201ADTaiwan Semiconductor Corporation -
1N5407RLG
DIODE GEN PURP 800V 3A AXIALonsemi -
1N5407G A0G
DIODE GEN PURP 800V 3A DO201ADTaiwan Semiconductor Corporation -
1N5407G-T
DIODE GEN PURP 800V 3A DO201ADDiodes Incorporated -
1N5407K
DIODE GEN PURP 800V 3A DO15Diotec Semiconductor -
1N5407GP-AP
DIODE GEN PURP 800V 3A DO201ADMicro Commercial Co -
1N5407GP-E3/54
DIODE GEN PURP 800V 3A DO201ADVishay General Semiconductor - Diodes Division -
1N5407GP-TP
DIODE GEN PURP 800V 3A DO201ADMicro Commercial Co -
1N5407GHA0G
DIODE GEN PURP 800V 3A DO201ADTaiwan Semiconductor Corporation -
1N5407-TP
DIODE GEN PURP 800V 3A DO201ADMicro Commercial Co -
1N5407GHB0G
DIODE GEN PURP 800V 3A DO201ADTaiwan Semiconductor Corporation -
1N5407G
DIODE GEN PURP 800V 3A DO201ADTaiwan Semiconductor Corporation -
1N5407G
DIODE GEN PURP 800V 3A DO201ADSMC Diode Solutions